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专利名称：二氧杂蒽嵌蒽化合物以及半导体装置专利类型：发明专利
发明人：小林典仁,佐佐木真理申请号：CN200910143041.5申请日：20090525公开号：CN101591343A公开日：20091202
摘要：本发明公开了一种二氧杂蒽嵌蒽化合物和半导体装置，其中该二氧杂蒽嵌蒽化合物由结构式(1)表示。其中，R和R中的至少一个表示除了氢之外的取代基。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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