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专利名称：外部共振器型半导体激光器专利类型：发明专利
发明人：田中富士,高桥和夫,竹谷元伸申请号：CN200480035897.6申请日：20041130公开号：CN1890848A公开日：20070103
摘要：本发明提供外部共振器型半导体激光器，其提供与常规的外部共振器型半导体激光器相比具有更大的输出和更优良的单模式特性。外部共振器型半导体激光器包括激光二极管(11)、窗玻璃(16)、光栅和透镜，并具有一些改进。第一种改进是，窗玻璃(16)相对于激光二极管(11)的光发射表面(19)倾斜预定的角度。第二种改进是，激光二极管(11)等的配置被调整使得S波被施加到光栅。第三种改进是，激光二极管(11)被配置为使得当输出功率为45mW或更低时抑制扭曲的产生。其它改进是，分别将激光二极管(11)的光发射表面的反射率、透镜的数值孔径、外部共振器长度和光栅的一阶光反射率设置为最佳值。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：党建华
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